图中QF下面一根虚线到一个方框，方框在分出两根虚线出来 这是什么符号 有什么作用 谢~
虚线框起来触点表示该触点为远程接点，不在本控制箱内，它表示的意思与无虚线方框一样。图中的框内接点均无编号，无法说出是从哪来到哪去，但其基本作用是可以看出来的，上两图应是两个相互联锁，一启一停的两个设备。两图下方的各2个常开触点应为启停控制触点，两图右上方的触点应是起保护作用的触点。具体工作过程因对该设备不熟悉，无法说出。
极轴追踪线，方便水平、垂直和特殊角度的定位。
虚线是表示联动，也就是说这个开关（断路器）分断或闭合后，都会给另外其他的设备发出相关的信号，通知相关设备（我已近断开了或我已近闭合了）说白了就是带辅助触头的断路器，在电路系统图中的表示方法： MX+OF分励+辅助、MX分励脱扣、OF辅助触头、SD报警触头、MN(C65Q)欠压脱扣器、MV(C65G)过压脱扣器、MV+MN(C65GQ)过欠压脱扣器
这个图形是断路器图形符号的一部分，表示操作机构和脱扣机构。虚线分别连接主触点、过载元件以及过流保护元件和辅助触点。
表示开关的三组辅助触头。
图中QF下面一根虚线到一个方框,方框在分出两根虚线出来 这是什么符号...
答：虚线是表示联动，也就是说这个开关（断路器）分断或闭合后，都会给另外其他的设备发出相关的信号，通知相关设备（我已近断开了或我已近闭合了）说白了就是带辅助触头的断路器，在电路系统图中的表示方法： MX+OF分励+辅助、MX分励脱扣、OF辅助触头、SD报警触头、MN(C65Q)欠压脱扣器、MV(C65G)过...
(18分)如图,静止于A处的离子,经加速电场加速后沿图中圆弧虚线通过静电分 ...
答：由牛顿第二定律得 qE 0 = ma 则E 0 = （3）离子在匀强磁场中做匀速圆周运动，洛伦兹力提供向心力，根据牛顿第二定律，有 则 离子能打在QF上，则既没有从DQ边出去也没有从PF边出去，则离子运动径迹的边界如图中Ⅰ和Ⅱ。由几何关系可知，离子能打到QF上，必须满足 ，则有 ...
小明遇到这样一个问题:“如图1,在边长为a(a>2)的正方形ABCD各边上分别...
答：△SMG，△TNH，△WPE的面积和为a 2 ，正方形ABCD的面积为a 2 ，∴S 正方形MNPQ =S △ ARE +S △ DWH +S △ GCT +S △ SBF =4S △ ARE =4× ×1 2 =2；(3) 如答图1所示，分别延长RD，QF，PE，交FA，EC，DB的延长线于点S，T，W． 由题意易得：△RSF，△...
点动自锁控制电路
答：这是一个正转启动自锁加点动控制电路，合上QF后，电源经FU---SB停止---按下SB1启动---KM吸合，同时KM的辅助触点闭合，形成自锁，电机连续运转，这就是自锁，当需要点动时，按下点动按钮，点动按钮的常开闭合，常闭断开---自锁回路被断开，KM就不再自锁，电机点动运行 画圈的地方本来就是一个按钮的...
如图虚线abc代表电场中三个等势面,且邻等势面间的等势差相同,实线为一...
答：A正确；E=qf(f为电势），q大于零，f越大，E越大，故B正确；能量守恒定律得：电势能与动能反相关，即一个越大，另一个就越小，所以P点动能较小，C错误；F=kQq/r2 知r越大，受到的电场力越小，正电荷越跑越远，所以F变小，F=ma,a也变小，即P点加速度较大，D正确。答案：ABD ...
制作科技小发明
答：具体制作方法是：将一只废易拉罐（如露露饮料罐）起掉一头盖子，另一头用圆头榔头敲凹。用厚瓦楞纸板卷起两节一号电池，电池正极朝上、负极朝下装入罐中。找一个合适的塑料盖（如神奇大大卷的盒盖正好可以扣在露露饮料罐上），在盒盖中央挖一个圆形小洞，洞的大小以使灯泡插紧为宜。将灯泡底座插入小...
(20分)静止于A处的离子,经加速电场加速后沿图中圆弧虚线通过静电分析器...
答：离子在匀强磁场中做匀速圆周运动，洛伦兹力提供向心力，根据牛顿第二定律，有： （3分）解得： （2分）离子能打在QF上，则既没有从DQ边出去也没有从PF边出去，则离子运动径迹的边界如图中Ⅰ和Ⅱ （2分） 由几何关系知，离子能打在QF上，必须满足： （3分）解得： （2分）
(18分)静止于A处的离子,经加速电压U加速后沿图中虚线圆弧通过静电分析器...
答：根据牛顿第二定律： 联立解得： （2）离子在匀强磁场中做匀速圆周运动，洛伦兹力提供向心力，根据牛顿第二定律： 联立解得： 离子能打在QF上，则既没有从DQ边出去也没有从PF变出去，则粒子运动区域的边界线如图中Ⅰ和Ⅱ 由几何关系知，离子能打在QF上，必须满足： 解得：
...静止于A处的离子,经加速电场加速后沿图中圆弧虚线通过静电分析器,从...
答：洛伦兹力提供向心力，由牛顿第二定律得：qvB=mv2r，解得：r=1BEmRq，离子能打在QF上，则既没有从DQ边出去也没有从PF边出去，则离子运动径迹的边界如图中Ⅰ和Ⅱ．由几何关系知，离子能打在QF上，必须满足：32d＜r≤2d，则有：12dEmRq≤B＜23dEmRq；答：（1）加速电场的电压U=12ER；（2...
...静止于A处的离子,经加速电场加速后沿图中圆弧虚线通过静电分析器,从...
答：根据牛顿第二定律，有 qBv＝mv2r则 r＝1BEmRq离子能打在QF上，则既没有从DQ边出去也没有从PF边出去，则离子运动径迹的边界如图中Ⅰ和Ⅱ．由几何关系知，离子能打在QF上，必须满足：32d＜r≤2d则有 12dEmRq≤B＜23dEmRq答：（1）加速电场的电压U为12ER；（2）矩形区域QNCD内匀强电场场强...
