在生产多晶硅的化工厂干得时间长是不是不会生育?

作者&投稿:里蓝 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
多晶硅产业对女孩的生育是否有影响~

有影响,但是别干时间长,而且看你的体质怎么样。有的人干几年都没事有的人体质就不行,多晶硅生产过程中有辐射的,所以最好别干。

多晶硅总的来说危害相对都不大,唯有硅芯拉直工序有比较强的高频辐射危害,未生小孩的最好不要长期在此工序上班。其他的就是一些化工厂常见的粉尘污染(如硅粉)、废气(三氯氢硅、四氯化硅、氯化氢等)污染...

各个多晶硅工厂采用在生产工艺不同,对员工身体的影响也不一样。

如果采用的是传统俄罗斯技术的西门子法生产,会产生大量在有毒污染物(主要是四氯化硅)。如果这些污染物没有采取妥善的处理方式(如罐装或深度掩埋等),则会对周边环境人群产生毒害作用,用于倾倒或掩埋四氯化硅的土地将变成不毛之地。

如果采用的是欧美先进的优化改良西门子法生产,可以将有毒尾气全部回收利用,从而消除污染。

当然有些多晶硅在生产过程中会使用或产生氯气、氯硅烷、四氯化硅等有毒气体,如果操作人员控制不当产生泄露也可能对人体产生损害。

所以关键看生产厂的工艺水平和对污染物的处理方式,以及工厂的生产管理水平和发生紧急情况的应急处理能力。

当然并不是所有的污染或毒害都会影响生育。四氯化硅一遇潮湿空气即分解成硅酸和剧毒气体氯化氢,对人体眼睛、皮肤、呼吸道有强刺激性,遇火星会爆炸;氯气的外溢则可使人出现咳嗽、头晕、胸闷等病状,并导致农作物大面积减产和绝收。

在生产多晶硅的化工厂干得时间长是不是不会生育?
答:各个多晶硅工厂采用在生产工艺不同,对员工身体的影响也不一样。如果采用的是传统俄罗斯技术的西门子法生产,会产生大量在有毒污染物(主要是四氯化硅)。如果这些污染物没有采取妥善的处理方式(如罐装或深度掩埋等),则会对周边环境人群产生毒害作用,用于倾倒或掩埋四氯化硅的土地将变成不毛之地。如果...

多晶硅厂工作对身体有什么危害,最多可以工作多少年?
答:回答:硅本身没有毒和放射性。 但是加工过程使用很多有毒物质和强电磁辐射的机器。 沉积法制备光伏级多晶硅薄膜。一般以高纯硅烷或三氯硅烷为气源,采用化学沉积、物理沉积和液向外延法。沉积出的薄膜以非晶、微晶、多晶形式存在。但是非晶硅薄膜太阳能电池存在光致衰退现象,所以该方法研究的一个方面就是通过...

请问在多晶硅干对健康有危害吗? 最多干多长时间对健康没有危害_百度...
答:一方面是硅粉的粉尘危害,另外一方面就是化工厂的氯硅烷对呼吸系统的损害。没有多长不多长时间,做好防护措施最重要。

多晶硅厂工作对身体有什么危害,最多可以工作多少年?
答:存在的职业病危害因素有生产性噪声、工频电场、高频电场、氯、氯化氢、三氯氢硅、二氧化氮、硫酸、氟化氢、氢氧化钠、碳酸钠、硅粉尘。其中氯、二氧化氮、氟化氢属于高毒物质,在生产中可能导致严重职业病危害。 上面是写的因素,不过相比其他化工厂,因多晶硅厂基本都是新建的,自动化程度都比较高,密闭...

多晶硅装拆工好不好干
答:不好干。1、多晶硅装拆工很累,硅料破碎使用锤子(或其他硬质工具)把多晶硅敲碎,然后筛分包装的方法是一个连续性的化工生产工艺。2、多晶硅装拆工中途是不能缺人的,24小时一直循环生产。

多晶硅还原炉一年工作运行时间
答:52天。现在的多晶硅还原炉出一炉时间一般是5-10天左右。所以一年的工作时间也就52天左右。

多晶硅车间干检修怎么样
答:工业硅车间好干。工业硅工艺操作工工作内容简单。一天就能学会。待遇也不错。多晶硅也挺简单,不过工作环境有污染,对身体有害,需要穿防护服工作。所以还是工业硅车间好干。车间是企业内部组织生产的基本单位,也是企业生产行政管理的一级组织

在大全多晶硅厂氯碱车间有什么岗位,哪个岗位好呢?在此谢谢各位...
答:大全多晶硅厂氯碱车间主要分为一次盐水,电解,氯氢,液氯,公用工程,配电,集控等工段,其中电解和氯氢是主要工段,主要工作大部分时间是巡检,一般要求是一小时巡检一次,大部分时间是很自由的,没有什么力气活,其中比较好的岗位是DCS,化验,仪表,ICP等几个岗位都很适合女孩做,男生建议去电解和氯氢...

单晶硅多晶太阳能厂的普工主要是干什么活的?
答:单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。据报道,目前在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方...

请您浅谈多晶硅的工艺及发展,您是否了解这方面的内容呢?
答:其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换...