开关电源场效应管耐压与功率的关系
开关电源场效应管耐压与功率的关系
答：成反比。根据查询电子发烧友网站信息得知，开关电源场效应管功率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，只适用于功率不超过10kW的电力电子装置，所以成反比。
irfp250n场效应管参数
答：IRFP250N场效应管参数简介 IRFP250N是一款N沟道MOSFET器件，具有极低的导通电阻和高的开关速度，常用于功率放大器、开关电源、DC-DC变换器和PWM调光等领域。该器件最大耐压为200V，最大漏极电流为30A，最大功率损耗为180W。同时，该器件的电路参数也非常优秀，静态漏极电阻小于0.08Ω，输入电容...
开关电源场效应管耐压多少合适
答：开关电源场效应管耐压应为600v。开关电源场效应管的耐压需要大于实际的电压，才不会有击穿的危险，400v为其实际电压，按照规定应使用600v的电压。
场效应管和mos管区别
答：主体不同 场效应管：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。特性不同 场效应管：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～...
为什么在开关电源中,起开关作用的场效应管的功耗和开关频率成正比?
答：开关频率与功耗有关系，但不是正比。MOS管的损耗主要在两个方面，1.导通损耗，这个很好理解，就是本身 内阻的损耗。2.开关损耗，这个是最主要的，MOS管在开关中，存在开通与关断有着大量损耗，其中的开通损耗又占主要比例。 频率越高，开关的次数就越多，所以它的损耗就越高。 DV/DT也就越高，...
场效应管和mos管区别
答：其中，V型槽MOS场效应管是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管，全称为金属氧化物半导体场效应管，是绝缘栅型的一种场效应管。2、特性不同：场效应管不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A...
用场效应管或三极管做的开关电源功率相比那个大
答：场效应管是电压驱动，所以场管的驱动功率可以小很多，特别适合它激的电路。功率是电压和电流的乖积，与三级管和场管无关。场管的驱动功率小所以能提高开关电源的效率。频率和噪声与三级管场管没太大关系。开关电源不是一下能说清楚的，你要系统的学一下你会发现你问的问题都很天真。
IRFP740与IRF740场效应管的区别?
答：400V//电流：10A//。②、关于以上IRF740属于N-M0SFET，功率场效应管，用于大功率、高速，如开关电源、UPS电源、AC和DC电动机控制、继电器和螺线管驱动和其他脉冲电路等，此管参数是//耐压：400Ⅴ//电流：10A//功率：125W//。③、向以上两款场效应管主要电参数是一样的，没什么区别。
作业:为什么在开关电源中,起开关作用的场效应管的功耗和开关频率成正...
答：工作于开关状态的开关管的功率损耗主要是过渡过程的损耗，而开或关的损耗很小。过渡过程就是开关管从截止到开通，或由开通到关闭这两个过程中的损耗。由于开关管工作上升沿与下降沿都有一定时间。频率越高，上升沿下降沿时间的占比就会升高。所以频率越高开关管的损耗也就越高。
场效应管的驱动电压是多少?
答：场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制...
