什么是平带电位？
测两点的话做差可以求出改点的电压和电流方向若知道这两点的电阻可以求出电流大小
对于体相的半导体材料而言，我们可以通过Mott-Schottly公式推算，进行简化戳通过作图大体上计算出其平带电位，但是对于纳米级别的半导体材料则主要是通过仪器的直接测定。电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路，也就是说不会产生光电流。相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。光谱电化学方法：该方法同样是在三电极体系下，对半导体纳米晶施加不同的电位，测量其在固定波长下吸光度的变化。基本的原理与电化学方法大体相同。当电极电位比平带电位正时，吸光度不发生变化；偏负时则急剧上升。因为，吸光度开始急剧上升的电位即为纳米半导体的平带电位。
平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。
用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。
测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路，也就是说不会产生光电流。
相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
扩展资料：
平带电压计算
平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1+Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响
1）Vfb1
Vfb1=φms=φg-φf；
对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V，+用于p型栅，-用于n型栅。
φf是相对于本征费米能级的费米势。
2）Vfb2
以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。
Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。
总结起来，Vfb=φg-φf-Q0/Cox。
参考资料来源：百度百科-平带电位
平带电位是负电子伏特与费米能级的积 是测量费米能级表示导体电学性质的参数 测量方法主要是莫特肖特基理论（Mott-Schottky 半导体的能带弯曲量可以通过调节外加电压或入射光的强度来改变。如果半导体电极接入外加电位，空间电荷层中的载流子密度将发生变化，能带弯曲状况也随之改变。对于n-型半导体调节电压往负方向变化时，由于大量额外电子的进入，将使能带弯曲量减小，费米能级EF的位置往上移，当电位足够负时能带被拉平；对于p-型半导体调节电压往正方向变化时，外电源不仅抽走了导带中的电子而且抽走了价带中的部分电子，从而将使能带弯曲量减小，电位足够正时能带被拉平，能带被拉平时的电极电位称为平带电位ψfb。 ）
费米能级和平带电位关系
答：平带电位稍低于导带边，在试验中经常与导带近似。在理想条件下，绝对零度，材料没有杂质，费米能级当然位于正中间，这就是费米能级的定义。半导体这边，费米能级就是电子或者空穴的化学势，粗略地理解的话，p端费米能级以上不存在空穴，n端费米能级以下不存在电子。
肖特基曲线怎么算平带电位
答：可以用近似的方法。首先，测实部阻抗对频率的图，找出实部阻抗对频率成水平线的频率。此时你的电极会竭尽r-c电路。设定这个频率下会看到一个水平上升，再水平再下降的图形。这个上升线接近肖特基曲线的有用点，可以用这些点来外插，就可以了。
cv扫速的影响
答：（1） 可逆反应，CV的峰电流与扫速的平方根成正比，峰电势与扫速无关；（2） 不可逆反应，CV的峰电流与扫速的平方根成正比，但是比例系数小于可逆反应，峰电势与扫速有关；（3） 准可逆反应，可逆程度与扫速有关，扫速越小，越接近可逆，扫速越大，越接近不可逆；（4） 判断电化学反应是否受传质...
光催化剂莫特肖特基曲线测试需要光照吗
答：光催化剂莫特肖特基曲线测试不需要光照。光催化类的实验测只是测半导体与溶液接触时的电性质，不需要用光，测试中有光和无光似乎只影响数值(电容值)的大小，对曲线趋势和平带电位不影响。
什么是平带电位?
答：平带电位（Flatbandvoltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的...
什么是平带电位?
答：平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负...
什么是平带电位?
答：平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负...
什么是平带电位?
答：平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负...
什么是平带电位( flat band voltage)?
答：平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负...
平带电位是什么?
答：平带电位（Flatbandvoltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的...
