请问MOS管，IGBT，可控硅三者作为开关元件的区别是什么？分别都适用于哪些场合？
当然是MOS管速度快了。
可控硅导通容易，但是不能自行关断；
IGBT常用于大功率设备，需要专门的驱动，所以速度也受影响。
高速小功率建议用MOS管。
晶闸管
MOS管是场效应管，IGBT是复合管前管是场效应管，后管是NPN关，可控硅是二极管类，MOS管高阻输入，IGBT是高频大功率输出，可控硅可作交、直流开关，MOS管，IGBT只用直流MOS,IGBT单管。IGBT模块,是什么。
答：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降...
mos igbt 在直流电焊机运用中哪种更好一点?从它的稳定性,功效,价格...
答：当然是IGBT模块的好了，IGBT可控性好，过载性好，性能稳定，当然价格也高。它的定位就是工业机型。一般在400以上。现在有不少单管IGBT的焊机，价格跟MOS管的差不多。MOS管的性能不太稳定，MOS管价格低，早期焊机电弧软，没有挺度。它的定位是民用机型。一般是一些小机型。不过国外一些MOS管焊机性能...
什么元器件有电压或电流断开电路,无电压或电流接通电路?
答：只要是电压电流控制型元器件都是可以的，比如继电器，三极管，MOS管，IGBT，可控硅等都可以实现
逆变焊机中的MOS管和IGBT是起什么作用的?
答：MOS管: 绝缘栅型场效应管，是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度比三极管快。 IGBT: 绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和...
场效应管和可控硅驱动电路一样吗?
答：他们的驱动电路是有本质上的区别，首先场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其中绝缘栅型场效应管也叫MOS管（有一种场效应管、三极管混合的器件叫IGBT俗称门控管，该器件的驱动电路与场效应管的驱...
mosfet和igbt的区别
答：mosfet和igbt的区别如下：1、结构以及应用区别 从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题。从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品...
整流电路用mos管,IGBT行不行,在感性负载会不会不会出现负电压?_百度...
答：MOS管和IGBT都可以整流，通常MOS管耐压比IGBT低，所以，通常IGBT用在电压较高的电路，MOS管用在电压较低的电路，MOS管内阻很小，所以尤其低电压整流很占优势，功耗更小，建议，MOS管同步整流了解下，不要仅局限于书本
MOS管和IGBT一样吗
答：不一样 一个多子器件 一个少子器件，不过你简单了解可以这么说：MOSFET是一个开关 IGBT是一个开关+一个控制器
IGBT 它的工作原理又是怎样?
答：IGBT（绝缘栅双极晶体管）的工作原理涉及到半导体器件的一些基础概念。IGBT由四个半导体P-N层交替叠加而成，形成PNPN型四层器件。IGBT的基本结构类似于一个NPN型的双极晶体管和一个P型功率MOS管串接在一起。栅极控制导通和关断，集电极和发射极之间的电压可以产生大电流。IGBT的工作可以分为两个状态：...
igbt原理是什么分
答：IGBT（Insulated-gatebipolartransistor）是一种三极管，它的结构是在常规的NPN或PNP型三极管的基底层上加上了一个可控硅层（即绝缘层），并且在硅层上沿用了MOS管的构造方法。这个可控硅层的作用是使得三极管的放电电流可以通过电荷控制来控制，也就是说它可以在低电流的情况下控制大电流的输出。IGBT有...
