直拉单晶硅工艺学
你是在哪工作啊`！我也是拉晶的
我也想知道他的生产工艺`
我找了好长时间都没有找到`
不过我在网上找到了一本书
太阳能光伏产业--直拉单晶硅工艺技术(黄有志)
第1章 单晶硅的基本知识
1.1 晶体和非晶体
1.2 单晶和多晶
1.3 空间点阵和晶胞
1.4 晶面和晶向
1.5 晶体的熔化和凝固
1.6 结晶过程的宏观特征
1.7 晶核的形成
1.8 二维晶核的形成
1.9 晶体的长大
1.10 生长界面结构模型
习题
第2章 直拉单晶炉
2.1 直拉单晶炉设备简介
2.2 直拉单晶炉的结构
2.3 机械部分
2.4 电气部分
2.5 直拉单晶炉的工作环境
习题
第3章 直拉单晶炉的热系统及热场
3.1 热系统
3.2 热系统的安装与对中
3.3 热场
3.4 温度梯度与单晶生长
3.5 热场的调整
习题
第4章 晶体生长控制器
4.1 CGC－101A型晶体生长控制器功能简介
4.2 CGC－101A型晶体生长控制器的开关状态说明
4.3 CGC－101A型晶体生长控制器的键盘操作说明5
4.4 CGC－101A型晶体生长控制器参数设置及定义
4.5 CGC－101A型晶体生长控制器使用说明
习题
第5章 原辅材料的准备
5.1 硅原料
5.2 石英坩埚
5.3 掺杂剂与母合金
5.4 其他材料
5.5 原辅材料的腐蚀和清洗
5.6 腐蚀原理及安全防护
5.7 自动硅料清洗机简介
习题
第6章 直拉单晶硅生长技术
6.1 直拉单晶硅工艺流程
6.2 拆炉及装料
6.3 抽空及熔料
6.4 引晶及放肩
6.5 转肩及等径
6.6 收尾及停炉
6.7 拉速、温校曲线的设定
6.8 埚升速度的计算方法
6.9 异常情况及处理方法
习题
第7章 铸锭多晶硅工艺
7.1 光伏产业简介
7.2 铸锭多晶硅炉的结构
7.3 铸锭多晶硅工艺流程
7.4 铸锭多晶硅的优缺点
习题
第8章 掺杂技术
8.1 杂质
8.2 导电型号
8.3 熔硅中的杂质效应
8.4 杂质的分凝效应
8.5 Keff与K0的关系
8.6 结晶后固相中的杂质分布规律
8.7 掺杂
习题
附录1 硅的物理化学性质（300K）
附录2 硅中杂质浓度和电阻率关系
附录3 元素周期表
附录4 立方晶系各晶面（或晶向）间的夹角
附录5 无尘室的分级标准
邮箱给我，发你邮箱
硅单晶生长方法：硅单晶生长方法包括CZ法（直拉法）和FZ法（区熔法）我们公司采用的直拉法直拉法的原理：利用籽晶从熔融态的硅中旋转提拉制备出单晶硅
直拉法的设备：炉体、真空系统、气体系统、热场系统、电气控制系统、传动控制系统
炉体：炉体是多晶硅融化和单晶硅生长的场所，加热系统至于其中
真空系统：将Ar气通入炉体内后利用真空泵抽空，反复这个过程将炉体内的氧气抽干，
避免残余的氧气影响单晶硅棒的氧含量。
气体系统：通入的Ar气不仅起到传热介质的作用，同时带走炉体中挥发的SiO和CO
等气体
热场系统：热场系统包括石墨加热器、石墨坩埚、石墨-碳毡保温罩、石墨保温盖和石
墨电极。
电器控制系统：
温度控制系统：采用功率反馈和温度反馈相结合的方法控制温度高低
直径控制系统：采用拉速控制和温度控制相结合的方法控制直径大小
传动控制系统：传动系统包括晶升、晶转、锅升、锅转，一般采用测速电机和驱动电
机同轴的方法，取出速度变化的信号电压，将此速度信号电压与一
定电压相比较厚的差值，经放大区控制驱动马达的驱动电压，达到稳
定转速的目的。
直拉法的过程：装料→抽真空→化料→籽晶与熔硅熔接→引晶 →放肩→转肩→等径→收尾
装料：装料过程中做到小料在下大料在上的原则减少硅料未熔的概率（装料过程中避免硅料和坩埚的碰撞，激烈的碰撞可能导致坩埚的碎末影响单晶硅中氧含量甚至坩埚的破裂）
抽真空：反复进行通Ar气后抽空这个过程将炉体内的氧气抽干，避免残余的氧气
影响单晶硅棒的氧含量
化料：化料完全后确认坩埚内壁是否有未熔的硅料，如有未熔的硅料，热屏下降的时候和未熔的硅碰撞引起坩埚内液面的波动，影响硅棒的生长。
籽晶与熔硅熔接：待熔体稳定后降下籽晶至液面3-5MM距离，使晶粒预热，以减少籽晶与熔硅的温度差，从而减少籽晶与熔硅接触时在籽晶中产生的热应力。预热后，下降籽晶至熔体表面，让他们有充分接触并熔接在一起。
引晶：无位错的籽晶与熔硅接触时因温差产生位错，引晶可以使该位错消失，建立无位错生长状态。
放肩：引晶完成后降低籽晶的提拉速度将直径放大到目标直径，目前的拉晶工艺几乎都采用平肩工艺，这种方法可以降低晶锭头部的原料损失。
转肩：晶体生长从直径放大阶段到等径生长阶段时候提高籽晶的拉速进行转肩
等径生长：当晶体基本实现等径生长并达到目标直径时，就可实现直径的自动控制
收尾：通过提高拉速和升高温度相结合方法收尾，防止位错反延。
第1章 单晶硅的基本知识
1.1 晶体和非晶体
1.2 单晶和多晶
1.3 空间点阵和晶胞
1.4 晶面和晶向
1.5 晶体的熔化和凝固
1.6 结晶过程的宏观特征
1.7 晶核的形成
1.8 二维晶核的形成
1.9 晶体的长大
1.10 生长界面结构模型
习题
第2章 直拉单晶炉
2.1 直拉单晶炉设备简介
2.2 直拉单晶炉的结构
2.3 机械部分
2.4 电气部分
2.5 直拉单晶炉的工作环境
习题
第3章 直拉单晶炉的热系统及热场
3.1 热系统
3.2 热系统的安装与对中
3.3 热场
3.4 温度梯度与单晶生长
3.5 热场的调整
习题
第4章 晶体生长控制器
4.1 CGC－101A型晶体生长控制器功能简介
4.2 CGC－101A型晶体生长控制器的开关状态说明
4.3 CGC－101A型晶体生长控制器的键盘操作说明5
4.4 CGC－101A型晶体生长控制器参数设置及定义
4.5 CGC－101A型晶体生长控制器使用说明
习题
第5章 原辅材料的准备
5.1 硅原料
5.2 石英坩埚
5.3 掺杂剂与母合金
5.4 其他材料
5.5 原辅材料的腐蚀和清洗
5.6 腐蚀原理及安全防护
5.7 自动硅料清洗机简介
习题
第6章 直拉单晶硅生长技术
6.1 直拉单晶硅工艺流程
6.2 拆炉及装料
6.3 抽空及熔料
6.4 引晶及放肩
6.5 转肩及等径
6.6 收尾及停炉
6.7 拉速、温校曲线的设定
6.8 埚升速度的计算方法
6.9 异常情况及处理方法
习题
第7章 铸锭多晶硅工艺
7.1 光伏产业简介
7.2 铸锭多晶硅炉的结构
7.3 铸锭多晶硅工艺流程
7.4 铸锭多晶硅的优缺点
习题
第8章 掺杂技术
8.1 杂质
8.2 导电型号
8.3 熔硅中的杂质效应
8.4 杂质的分凝效应
8.5 Keff与K0的关系
8.6 结晶后固相中的杂质分布规律
8.7 掺杂
本人想学习光伏技术,没有基础,从头学起,想知道刚开始应看哪些书籍,请路...
答：1.【丛书名】直拉单晶硅工艺技术(太阳能光伏产业硅材料系列教材)【出版社】化学工业出版社 【作者】黄有志，王丽 主编 2. 光伏技术基础与技能 作者郑军 张玉琴 丛书名： 职业院校理论实践一体化系列教材 出版社：电子工业出版社 ISBN：9787121118005 3.硅片加工技术(太阳能光伏产业硅材料系列教材)(...
直拉单晶硅工艺技术的图书目录
答：绪论第1章 单晶硅的基本知识第2章 直拉单晶炉第3章 直拉单晶炉的热系统及热场第4章 晶体生长控制器第5章 原辅材料的准备第6章 直拉单晶硅生长技术第7章 铸锭多晶硅工艺第8章 掺杂技术附录参考文献……
谁知道太阳能电池详细的生产工艺?
答：1、 硅片切割，材料准备：工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（全球节能环保网掺硼）。2、 去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量...
非晶硅跟单晶硅和多晶硅有什么区别,
答：目前，被广泛使用的单晶硅太阳能电池的光电转换效率为17%左右（随着科技发展，不断有更高转换效率的电池诞生，其它2种电池也相同），但制作成本很大。单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，最高可达25年。多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其...
急求“简述单晶硅太阳能的电池结构、制作工艺、工作原理。”要交作业...
答：它们各具有许多直拉单晶炉,可以拉制5.5〃,6〃,6.5〃和8〃直径的硅单晶,形成了可供年产25——30MW太阳能电池芯片的市场。但是由于多晶硅原材料供应不足,这些企业拉制的硅单晶原材料只能供给生产20MW太阳能电池芯片所用。因此,硅材料缺乏已成为抑制上海(乃至全国)太阳能电池产业封装的瓶颈。因此,通过上海与外省市的...
有关半导体,单晶硅的
答：超纯的单晶硅是本征半导体。 在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 单晶硅主要用于制作半导体元件...
太阳能芯片(Si)单晶工艺和多晶工艺的差别在哪里?以及什么原因导致的差别...
答：多晶硅的生产工艺主要由高纯石英(经高温焦碳还原)→工业硅(酸洗)→硅粉(加HCL)→SiHCL3(经过粗馏精馏)→高纯SiHCL3(和H2反应CVD工艺)→高纯多晶硅 国内的多晶硅单价主要看纯度,纯度在9个9的很少,价格应该在2500以上了!详细价格不定, 单晶硅生产工艺主要有两种,一种是直拉法,一种是区熔法。工艺的介绍也可以在...
单晶拉棒是什么东西?
答：单晶拉棒是用于制造半导体器件用的。单晶拉棒是太阳能电池的，单晶硅棒是通过区熔或直拉工艺在炉膛中整形或提拉形成的，是硅原子按籽晶的晶格排列方向，重新排列的硅单晶体棒。单晶拉棒生产流程为拉晶、机加以及抛光工序，经过不断改进拉晶工艺，提升少子寿命，降低氧含量，持续提升产能和硅棒成品率单晶...
单晶硅,多晶硅生产流程。
答：冶金法生产多晶硅:单晶硅生产工艺流程高纯多晶硅→直拉法或悬浮区熔法→棒状单晶硅→切、磨、抛和洁净封装工艺→单晶硅片. 本回答被网友采纳 已赞过 已踩过< 你对这个回答的评价是? 评论 收起 匿名用户 推荐于2020-12-10 展开全部 太阳能? 已赞过 已踩过< 你对这个回答的评价是? 评论 收起 1条折叠...
单晶硅芯片制造过程
答：单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直...
