一般圆片的电阻率是多少
四探针法测电阻率
答：对于厚度为W（远小于长和宽）的薄半导体片，得到电阻率为ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系数。特别，对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片，得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作单位。
请问四探针发测电阻的原理是什么?
答：四探针法测量电阻率有个非常大的优点，它不需要较准；有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。 与四探针法相比，传统的二探针法更方便些，晶格电子这些都是有的
如图甲所示,在材质均匀的圆形薄电阻片上
答：我们将切除的偏心圆部分，同样按照所加电压方向划分成2部分，。对于图乙，划分线为AB，分成两个空心半圆；对于图丙，划分线为CD，分成两个空心半圆。空心圆可以和空气电阻片类比，其电阻率是很大的，因为空气在一般电压下不导电，所以切除的心圆可以看成是引入了更大的电阻,比较图乙和图丙，图乙中，...
导体电阻率的测量
答：接触点应当很小，并且安放在样品的外围。围绕样品进行8次测量。对这些读数进行数学组合来决定样品的平均电阻率。有关vanderPauw法的更进一步的信息可以在ASTM标准F76中找到。使用vanderPauw法决定导电样品电阻率的完整系统。该系统包括用来提供流过样品的电流的6220型电流源和用来测量产生电压降的2182A型纳伏...
片式NTC热敏电阻一共有几种结构分别是什么?
答：片式NTC热敏电阻主要有以下3种结构：第一种为单层型，产品称为块状陶瓷NTC热敏电阻，产品为块状陶瓷结构，由NTC陶瓷体与Ag端电极组成。第二种为单层包裹玻璃型，产品称为多层陶瓷积层型NTC热敏电阻第二代产品结构基于MLCC的制造工艺，这种产品为多层陶瓷结构，有内电极，在生产单层的基础上在陶瓷体的表面...
单晶硅和多晶硅以及非晶硅太阳能电池的区别是什么啊!急问!
答：其工艺过程是选择电阻率为100~300欧姆厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1:5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料，加人适量硼硅，放人浇铸炉，在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即...
如何测半导体电阻率
答：已经设计出专门的探头来测量半导体晶圆片和半导体棒的电阻率。这些探头通常使用硬金属，如钨来制作，并将其磨成一个探针。在这种情况下接触电阻非常高，所以应当使用四点同线（collinear）探针或者四线隔离探针。其中两个探针提供恒定的电流，而另外两个探针测量一部分样品上的电压降。利用被测电阻的几何...
如图1,某同学用游标卡尺测量一薄的金属圆片的直径,该游标卡尺示数为...
答：游标卡尺的固定刻度读数为1.2cm，游标读数为0.05×8mm=0.40mm=0.040cm，所以最终读数为：1.2cm+0.040cm=1.240cm．螺旋测微器的固定刻度读数为2mm，可动刻度读数为0.01×49.7mm=0.497mm，所以最终读数为：2.497mm．故答案为：1.240；2.497（2.496～2.498）．
在做测定金属电阻率的实验中,待测金属的阻值约为5Ω.①某同学先通过游标...
答：并能多测几组电流、电压值，故宜选用分压式电路；由于R VR＞RR A ，所以电流表应用外接法接法，所以电路图应选C．③电流表读数为I=0.46A，电压表读数为U=2.40V，所以待测电阻R=UI=5.2Ω故答案为：①3.170，3.471 ②V 1，A 2，C ③5.2 ...
敏感电阻种类有哪些啊?
答：五、力敏电阻器。如果在半导体晶体上施加压力，除产生形变外，晶体内部的对称性将发生变化，即导电机理发生变化，从而使晶体的导电率也发生了变化，这种由于外力引起半导体材料电阻率变化的现象称为半导体的压阻效应，这个原理也就是力敏电阻的制作原理、力敏电阻可实现力、位移和扭矩等物理量的电转换。因而...
