半导体的类型-N型、P型是怎样定义和区别的?

作者&投稿:骑琼 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
半导体材料N 型与P型的区别?~

2分钟使你真正了解半导体,p型半导体与n型半导体详解,二极管,0基础学习电子知识,二极管的内部成分,半导体详细讲解

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下面,我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

扩展资料

半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。

以GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中,蓝色发光二极管LED率先实现商品化生产 成功开发蓝光LED和LD之后,科研方向转移到GaN紫外光探测器上 GaN材料在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件,这种电子开关可以提供平稳、无间断电源。

参考资料

半导体-百度百科



一、区别:

  1. 形成原因不同:

在半导体中掺入施主杂质,就得到N型半导体;施主杂质:周期表第V族中的某种元素,例如砷或锑。

在半导体中掺入受主杂质,就得到P型半导体;受主杂质:周期表中第Ⅲ族中的一种元素,例如硼或铟。

2.导电特性不同:

P型半导体的导电特性:它是靠空穴导电,掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。

N型半导体的导电特性:掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能也就越强。

二、定义

(一)、N型半导体,也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 “N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。

(二)、P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。

拓展资料:

半导体特殊性:

半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。

★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。

★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。

半导体分类:

按照其制造技术可以分为:集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类,虽然不常用,但还是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

参考资料:百度百科--半导体、百度百科--N型半导体、百度百科--P型半导体



下面,我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

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P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

什么是半导体的P型和N型?
答:P型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。形成 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由...

什么是n型半导体?什么是p型半导体?它们是怎样形成的?帮我回答...
答:P型半导体:也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越...

P型半导体的P是什么意思?N型半导体的N是什么意思?
答:P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体;N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。P型和N型半导体都属于杂质半导体,掺杂过程涉及向本征半导体添加掺杂物原子,从而在达到热平衡的过程中改变电子和空穴这两种载流子的分布。根据杂质半导体中主要影响力的载流子,可以将半导体分为P型半导体...

P型半导体和N型半导体怎么区分?
答:主要依靠导带电子导电的半导体称之为N型半导体,也即是电子型半导体。主要依靠空穴导电的半导体称之为P型半导体,也即是空穴型半导体。用左手定则,磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,拇指为电场方向,拇指指向负电荷一侧,此时为P型半导体,空穴型.若方向正好相反,则为N型半导体,也是电子型。半导体指...

什么叫P型半导体和N型半导体?
答:P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子。少数载流子:P型半导体中,自由电子为少数载流子,简称少子。N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)...

什么是p型半导体,n型半导体,p
答:所以这种半导体中,电子载流子的数目很多,主要kao电子导电,叫做电子半导体,简称n型半导体。【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中,参与导电的主要是带正电的空穴,这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子,产生同数量的空穴,从而改变了...

什么叫纯净半导体。P型半导体和N型半导体?
答:回答:纯半导体是没有任何杂质的半导体,P型半导体和N型半导体是加入了其他一些元素的半导体,P型半导体和N型半导体合在一起会形成PN结,电流只可以从P流到N,不能反相移动,二极管就是根据这个原理制作出来的。

什么是P型半导体和N型半导体?都有哪些性质呢
答:P型半导体:掺杂元素: P型半导体通常是由硅等半导体材料与三价元素(如铝、硼等)的掺杂形成的。这些三价元素称为“杂质”或“施主”。性质: 在P型半导体中,由于掺杂元素添加了少量的“空穴”(正电荷),因此它的主要载流子是正电荷载流子(空穴)。空穴相当于电子缺陷,在外部电场的作用下,空穴会...

什么是p型半导体和n型半导体?
答:【答案】:B 在硅(Si)单晶中掺入硼(B),形成的是p型半导体;掺入磷(P),形成的是型半导体。硼(B)的价电子带都只有三个电子,是受主杂质,电子能够更容易地由硅(Si)的价电子带跃迁到硼传导带。在这个过程中,由于失去了电子而产生了一个正离子,因为这对于其它电子而言是个“空位”,所以通常...

什么是N型半导体 什么是P型半导体?
答:回答:在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上...