高二物理问题 十万火急啊~

高二物理电学问题，十万火急！！！讲明白另外加分！~

质子源与靶间的质子数就等于Q=IT啊，T是质子流的最前端到达靶的时间，因为他求的是那一段距离内的质子数，电流表示单位面积上单位时间通过的电荷，就相当于单位时间一个面上的电荷，要求那一段距离内的电荷，就是单位时间的电荷×这段距离所对应的时间

1,入射速度Vo

（1/2）mVo^2=eU1，则Vo^2=2eU1/m

2，电子的加速度

a=F/m=eE/m=eU2/dm，方向与Vo垂直

3.不飞出平板的条件

设飞行时间为t,板长D，若电子不飞出则
水平飞行距离x≤D,即Vot≤D，t≤D/Vo

4，最后求解

纵向运动方程d/2=(1/2)at^2，则
t=√(d/a)≤D/Vo
两边平方得d/a≤(D/Vo)^2
代入a:(d^2)m/eU2≤(D/Vo)^2
解U2:
U2≥(m/e)(dVo/D)^2=(m/e)(d/D)^2(2eU1/m)=2(d/D)^2U1
即U2≥2[d/D)^2]U1=2*(0.02/0.1)^2*5000
=400 (V)
即U2≥400 (V)

1.有关!!
因为安倍力F=BLV 速度越大 安倍力越大
2.和磁场强度的变化也有关,因为磁场强度一旦变化,通过线圈的磁通量也会变大.所以安培力也会随之变大。
3。和闭合回路面积也有关,磁通量是等于面积乘以磁场强度的 面积越大 安培力越大

安培力本身和速度无关。因为安培力与磁场强度和电流大小有关F=BIL。
但导体通电流在磁场中运动他受到的合力与速度有关，因为导体在磁场中运动会产生感应电动势、电流，其实质上还是改变了F=BIL中的I的大小。所以安培力与速度无关，只与磁场强度和电流大小有关

我是高二的
1.要分情况单个导体切割时F=BLV 但如果导体线圈都在磁场里那就无关此时无感应电流
2.和磁场强度的变化也有关,因为磁场强度一旦变化,通过线圈的磁通量也会变大.所以安培力也会随之变大。

无安培力
建议你买本复习资料,我那是就是自己边看边想懂得

F安=BIL
所以安培力与磁场强度有关
至于你说的与闭合回路面积~~应该是与闭合回路的电流与导体切割磁感线的面积的那部分长度有关吧~

F=BIL
I=E/R
E=BS/T
而E与S无关所以I与S也无关
与它的变化率有关
与速度有关e=blv